SK Hynix выпустила первую в мире память DDR5 DRAM

По заявлению разработчика, новая оперативная память имеет лучшие характеристики, чем DDR4, в частности, скорость передачи данных увеличена почти в два раза. Показатель составляет 4800-5600 Мбит в секунду.

Напряжение модулей снижено с 1,2 до 1,1 В, что положительно сказывается на энергоэффективности памяти. Емкость модулей составляет 256 Гб, благодаря чему открываются новые возможности при создании современной компьютерной техники.

Технология Error Correcting Code, реализованная в проекте, поможет исправлять возникающие в ходе работы ошибки.